삼성전자, 46나노 2Gb DDR3 D램 세계 첫 양산
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작성일 23-02-02 16:28
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46나노 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 56나노 제품에 비해 생산성이 약 60% 높다. 생산원가 경쟁력을 바탕으로 차기 D램 주력 제품인 DDR3 D램 시장에서도 세계 D램 시장 1위 지배력을 계속 이어갈 전망이다.
삼성전자, 46나노 2Gb DDR3 D램 세계 첫 양산
삼성전자, 46나노 2Gb DDR3 D램 세계 첫 양산
안수민·서동규기자 smahn@etnews.co.kr
한편 하이닉스반도체도 3분기 44나노 공정의(定義) 1Gb DDR3 D램을 초기 양산하고 4분기에 DDR3 D램을 대량 생산할 예정이다.
아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 높아질 전망이다.
설명
삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 46나노 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 최근 D램 공급 계약을 체결하는 등 이달 말부터 2Gb DDR 3 D램을 본격 양산한다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △서버용 16Gb·8Gb 모듈(RDIMM) △워크스테이션·데스크톱 PC용 4Gb 모듈(UDIMM) △노트북 PC용 4Gb 모듈(SODIMM) 등 프리미엄급 대용량 메모리 모듈 제품을 중점 공급할 계획이다.
삼성전자, 46나노 2Gb DDR3 D램 세계 첫 양산
삼성전자는 46나노 DDR3 D램을 조기 양산함으로써 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 56나노 2Gb DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공, 제품 discrimination화를 꾀할 수 있게 됐다. 삼성전자·하이닉스는 D램 공정을 50나노급에서 40나노급으로 조기에 전환하면서 불투명한 반도체 시황을 첨단 공정과 원가경쟁력으로 극복할 수 있게 됐다. 경쟁업체에 비해 D램 공정을 56나노에서 46나노로 한 세대 이상 앞서 양산화에 성공, 원가경쟁력을 60% 강화해 반도체 공급 가격 회복세 지연에도 능동적으로 대처할 것으로 전망된다된다.
삼성전자가 세계 최초로 46나노 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 이달 말부터 양산한다. 작동전압은 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 20% 정도 빠른 1.6 의 데이터 처리 속도를 구현한다. 2Gb D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다된다.
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삼성전자 측은 “생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축하는 등 생산 효율을 향상해 원가경쟁력을 더욱 높였다”며 “하반기 전체 D램 생산량에서 DDR3 D램의 생산 비율을 시장조사 기관의 전망치보다 높게 할 것”이라고 말했다.
