`D램 나노시대` 열린다
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작성일 23-05-20 19:39
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삼성전자는 이달부터 300㎜ 라인에서 90나노 공정을 적용해 D램을 양산한다고 지난 8일 밝혔다.
삼성전자(대표 윤종용)가 플래시메모리에 이어 D램에서도 세계 최초로 90 나노 미세공정을 도입했다.
더욱이 이번 90나노 공정은 기존 0.10미크론 공정에 비해 생산량이 약 40%나 증가하기 때문에 원가경쟁력 측면에서 512Mb 이후의 대용량 D램 제품에는 필수적으로 적용돼야 할 공정기술로 분석되며 삼성전자가 업계 처음으로 D램 생산에 적용함으로써, 강력한 원가경쟁력을 바탕으로 시장지배력이 더욱 강화될 것으로 예상된다.
이번 90나노를 적용한 512Mb D램 첫 양산은 삼성전자가 또다시 경쟁업체들보다 한발 앞서 나갈수 있는 계기다. 이번 삼성의 90나노 512Mb D램은 이 같은 D램 시장의 급속한 전환을 가속화할 것으로 展望된다.
다. 경쟁사들의 경우 마이크론은 약 75%, 인피니언이 약 70%, 난야와 파워칩이 50% 이상, 하이닉스가 35% 이상을 0.11미크론 이하로 생산하고 있따
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특히 삼성전자는 이번 90나노 512Mb D램의 양산에 이어, 올해 말부터는 90나노 DDR2 제품도 양산을 스타트하는 등 D램 전 제품으로 90나노 공정을 확대해 차세대 대용량 D램 시장을 공략할 계획이다.
삼성전자는 △삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 ‘RCAT(Recessed Channel Array Transistor)’ △D램의 데이터 저장 속성 을 개선하기 위한 ‘고유전막 기술’ △나노급 초미세 회로 구현을 위한 ‘불화아르곤(ArF) 광원’ 등의 point기술을 적용, 세계 첫 90나노 D램 양산의 쾌거를 이뤘다.
심규호기자@전자신문, khsim@
◇90나노 512Mb D램 양산의 의미=일반적으로 나노공정은 100나노 미만(1미크론 미만)의 미세가공공정을 의미한다. 이 가운데 90나노 비중은 연말까지 전체 D램의 5% 수준으로 확대할 계획이다. 삼성이 90나노 공정으로 양산하는 제품은 512Mb DDR 400㎒와 DDR 333㎒다. 삼성전자의 D램 공정은 현재 0.11미크론급 이하가 90% 이상을 차지하고 있으며, 연말까지 95% 이상으로 비중을 확대해 나갈 예정이다. 이 때문에 이번 삼성전자의 D램 90나노 공정 적용은 사실상 D램 나노시대의 본격적인 개막을 알리는 신호탄이다. 삼성전자는 지난해 0.11미크론급 D램 양산 당시에도 경쟁업체에 비해 6개월∼1년 이상 앞서 착수하면서 D램 시장을 주도해 왔고, 경쟁업체들이 0.11미크론 전환에 어려움을 겪는 틈을 타 높은 수익률을 유지하고 있따
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◇주력 D램의 전환 가속화 계기=올해 하반기는 D램 시장의 주력제품이 256Mb에서 512Mb 이후의 대용량 D램으로 넘어가는 전환기로 예상돼 왔다. D램 양산 공정에 90나노를 도입한 것은 삼성전자가 처음이며, 경쟁업체들은 한 단계(6개월∼1년) 낮은 0.11미크론 공정이나 그 이상급 공정을 적용하고 있따
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플래시메모리와 시스템 LSI, CPU 분야의 경우 삼성은 물론 인텔과 대만 파운드리업체들이 90나노 공정을 도입했지만 D램에는 이번이 처음이다.
